Conas dé -óidí a leabú i gciorcaid chumarsáide chomhtháite hibrideacha?
Fág nóta
一, Suíomh Feidhme Lárnach na nDé -óidí i gcomhtháthú hibrideach
1. Ceartú agus braite comhartha: droichead ó aschur go digiteach
Sa mhodúl deiridh RF -, bainfidh dé -óidí amach dí -chomhdhlúthú comhartha trí thréithe neamhlíneach. Mar shampla, i gcumarsáid tonn 5G milliméadair, is féidir le dé -óidí nítríde gallium (Gan), lena n -ultra - soghluaisteacht ard leictreon, ceartúchán comhartha éifeachtach a bhaint amach sa 24GHz - banda minicíochta 52GHz, ag athrú comharthaí modúl aimplitiúid i gcomharthaí bunbhanda. Tar éis samhail áirithe de bhunstáisiún 5G a ghlacann eagar dé-óid Gan, laghdaítear an tomhaltas cumhachta tosaigh RF faoi 30%, agus tacaíonn sé freisin le teicneolaíocht comhroinnte speictream dinimiciúil (DSS), rud a fheabhsaíonn úsáid speictrim go suntasach.
2. Cobhsaíocht agus cosaint voltais: Teorainneacha sábháilteachta ciorcaid a thógáil
Tá ról ríthábhachtach ag dé -óidí Zener i mbainistíocht cumhachta comhtháite hibrideach. Sa DC - DC modúl tiontaithe de chríochfort cumarsáide satailíte, úsáidtear dé -óid zener le voltas miondealú droim ar ais de 6.2V, in éineacht le friotóir teorannaithe reatha 0.1 Ω, chun ciorcad cosanta ró -thréigthe a dhéanamh. Nuair a ardaíonn an voltas ionchuir go 8V go tobann, déanann an dé -óid shunt laistigh de 10ns, ag cobhsú an voltais ualaigh laistigh den raon 6.2V ± 0.1V agus ag cosaint an LNA chéim cúil (aimplitheoir torainn íseal) ó dhamáiste.
3. Athrú agus modhnú: Rialú comhartha dinimiciúil a bhaint amach
Úsáidtear dé -óidí Schottky go forleathan i modúil T/R de radar eagar céimnithe mar gheall ar a gcuid ama aisghabhála aisiompaithe ultra (<10ns). A certain model of active phased array antenna uses SiC Schottky diode as the phase shifter switch, with an insertion loss of less than 0.2dB and an isolation of 40dB. It supports fast beam scanning (switching time<50ns), meeting the strict real-time requirements of airborne radar.
2, Tiomáineann nuálaíocht ábhartha cinn deartha
1. Leathsheoltóir Bandgap leathan: Athmhúnlú a dhéanamh ar an Teorainn Feidhmíochta Minicíochta Ard -
Léiríonn dé -óidí Silicon Carbide (SIC) buntáistí i gcásanna minicíochta ard - agus ard -. Glacann modúl áirithe cumarsáide feithicle le dé -óid SIC ingearach struchtúr ingearach, le dlús reatha 200a/cm ² agus titim ar aghaidh voltais de 1.2V amháin, atá 40% níos ísle ná dé -óidí sileacain thraidisiúnta. I gcumarsáid V2X le haghaidh feithiclí leictreacha, tacaíonn an gléas seo le tarchur cumhachta 100W agus laghdaíonn sé méid an radaitheora faoi 60%, ag cuidiú le dearadh éadrom na feithicle ar fad.
2.
Tá dioscóga graphene tar éis dul chun cinn a dhéanamh sa réamh -thaighde ar chumarsáid 6G Terahertz mar gheall ar a saintréithe banda. Baineann an dé -óid heterojunction graphene a d'fhorbair saotharlann áirithe cóimheas lasctha de níos mó ná 1000 sa bhanda minicíochta 0.3thz agus am freagartha giorraithe go dtí an leibhéal femtosecond. Is féidir an gléas seo a chomhtháthú i sceallóga íomháithe Terahertz le haghaidh trealamh slándála aerfoirt, le rún 0.1mm, atá 10 n -uaire níos airde ná córais thonn tonn thraidisiúnta.
3. Teicneolaíocht chomhtháthaithe ilchineálach: Briseadh trí bhac comhoiriúnacht an phróisis
Mar fhreagra ar an neamh -chomhoiriúnacht idir próisis Gan agus CMOS, tá fiontar áirithe forbartha ag fiontar áirithe tuaslagán comhtháthaithe ilchineálach tríthoiseach: eagar dé -óid 0.15 μ M GAN ar fhoshraith 45nm CMOS trí theicneolaíocht sádrála micrea -bump. Baineann an scéim seo amach éifeachtúlacht bhreise cumhachta (PAE) de 55% sa bhanda Ku (12 - 18GHz), atá 15 phointe céatadáin níos airde ná an scéim chomhtháite aon-sliseanna. Tá sé curtha i bhfeidhm i ndearadh na n -ualach pá ísealfhithise.
3, an t -athrú paraidíme sa mhodheolaíocht dearaidh
1. Insamhladh comhoibritheach ar réimsí ilfhisic mheicniúla teirmeacha leictreamaighnéadacha
I ndearadh modúl cumarsáide tonn milliméadair, baineadh úsáid as ardán insamhalta HFSS HFSS agus IcePak chun samhaltú 3D de dhé -óidí SIC a dhéanamh. Trí leagan amach na gcainéal diúscartha teasa a bharrfheabhsú, laghdaíodh teocht an acomhail ó 150 céim go dtí 120 céim, agus rialú a dhéanamh ar dhífhoirmiú na n -alt sádrála de bharr strus teirmeach laistigh de 0.5 μ m, ag cinntiú oibriú iontaofa an fheiste laistigh de raon teochta leathan -55 céim go 125 céim.
2. Tógáil na Leabharlainne Múnla Paraiméadraithe
Tá leabharlann samhail spice forbartha ag monaróir áirithe EDA ina bhfuil os cionn 300 paraiméadar le haghaidh cineál nua dé -óid. Clúdaíonn an leabharlann seo sonraí ar nós S {- paraiméadair agus figiúirí torainn faoi theochtaí éagsúla (-40 céim go 175 céim) agus coinníollacha claonta, agus tacaíonn sí le rochtain dhíreach ar uirlisí príomhshrutha amhail fógraí agus dúnadh. I ndearadh stáisiúin bhunaidh 5G, ghiorraigh cur i bhfeidhm na leabharlainne seo an timthriall atriallta dearaidh ó 8 seachtaine go 3 seachtaine, agus mhéadaigh sé ráta ratha táirgthe sliseanna amháin go 90%.
3.
Bhunaigh fiontar áirithe leabharlann rialacha DFM do mhicrea -óidí atá pacáistithe i 01005 (0.4mm × 0.2mm):
Spásáil Pad: Níos mó ná nó cothrom le 50 μ m
Tiús mogalra cruach: 0.08mm ± 0.01mm
Buaic Teocht na sádrála atráice: 245 céim ± 5 chéim
Trí na paraiméadair phriontála greamaithe sádróra a bharrfheabhsú, laghdaíodh an ráta neamhní táthúcháin ó 15% go dtí faoi bhun 3%, ag comhlíonadh riachtanais an chaighdeáin AEC {- Q101 do leictreonaic ghluaisteáin.
4, Anailís ar chásanna feidhmithe tipiciúla
{1. 5 g Stáisiún Base RF Front - Deireadh
Glacann samhail áirithe de bhunstáisiún ollmhór MIMO scéim chomhtháthaithe hibrideach, ag comhtháthú líonra aistrithe céim atá comhdhéanta de 256 dé -óid GAN. Tríd an leagan amach a bharrfheabhsú, déantar an difríocht i fad cosán comhartha a rialú laistigh de ± 50 μ m, agus tá an earráid chomhsheasmhachta céime níos lú ná 1 chéim. Tacaíonn sé le cumraíocht antenna 64T64R agus baintear amach buaic -ráta de 8.5Gbps.
2. Eagar céimnithe satailíte céimnithe
Baineann pálasta satailíte íseal áirithe úsáid as dé -óidí SIC chun modúil T/R a thógáil, le dlús cumhachta de 50W/cm ², atá trí huaire níos airde ná an scéim thraidisiúnta GaAs. Trí struchtúr ingearach trí {- a dhearadh, laghdaítear an caillteanas tarchuir comhartha RF go 0.1db/cm, ag tacú le tarchur sonraí 20Gbps sa bhanda KA (26.5-40GHz).
3. Modúl Cumarsáide V2X Feithicle
Glacann feithicil fuinnimh nua áirithe dearadh comhtháite hibrideach, comhtháthú tiománaithe LED, bainistíocht cumhachta, agus feidhmeanna deiridh RF -. Ina measc, tacaíonn SIC Schottky Diodes le 48V go 12V DC {- DC le héifeachtúlacht 98%; Baineann an Aimplitheoir Cumhachta GAN cumhacht aschuir de 23DBM amach sa bhanda minicíochta 5.9GHz, ag freastal ar riachtanais an chaighdeáin C - V2X.
https://www.trssemicon.com/transistor/npn- }transistor {{3 }bc817w.html






